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全球速递!3D NAND 堆叠可超 300 层,铠侠解读新技术
2023-05-05 14:19:54 来源:中关村在线 编辑:


(资料图片仅供参考)

5 月 5 日消息, 铠侠和西数展示最新的技术储备,双方正在努力实现 8 平面 3D NAND 设备以及具有超过 300 条字线的 3D NAND IC。

根据其公布的技术论文,铠侠展示了一种八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件,有超过 210 个有源层和 3.2 GT/s 接口,可提供 205 MB/s 的程序吞吐量,读取延迟缩小到 40 微秒。


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此外,铠侠和西部数据还合作开发具有超过 300 个有源字层的 3D NAND 器件,这是一个具有实验性的 3D NAND IC,通过金属诱导侧向结晶(MILC)技术提高通道的结晶质量,再利用尖端的镍铸方法来消除硅材料中的杂质和缺陷。

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