中科院在科技领域的新突破到底是喜忧参半，10年的科技差距，无论怎么样都有必要追赶。

虽说中科院在5nm光刻机上有了重大突破，但并不是说就能够完完全全将芯片制造出来。另外中科院官网刊登了一篇报道，关于苏州纳米所等在超高精度激光光刻技术研究中获得巨大进展，团队开发了一种新型三层堆叠薄膜结构，可以实现5纳米的特征线宽。

中科院在科技领域的新突破到底是喜忧参半，10年的科技差距，无论怎么样都有必要追赶。

虽说中科院在5nm光刻机上有了重大突破，但并不是说就能够完完全全将芯片制造出来。另外中科院官网刊登了一篇报道，关于苏州纳米所等在超高精度激光光刻技术研究中获得巨大进展，团队开发了一种新型三层堆叠薄膜结构，可以实现5纳米的特征线宽。

但我们需要认清现实的就是，现在我国自主制造的光刻机还在90nm的节点，只能制造90nm的芯片，但ASML已经可以生产5nm芯片。在这之间差了好几个阶段，有人说产不多是10年的技术。

但很多人了解的不是不特别清楚，所以就觉得现在一直被针对的华为可以有救了。实际不然，如果华为真的使用国产90nm的芯片产品，那华为真的就沦为低端机了。在这个体验感大于情怀感的潮流中，将使华为占不到任何优势。

但就这一技术的突破还是可喜可贺的，毕竟光刻技术的进步也代表着国产科技的进一步强大。

对于芯片领域很多人都是熟悉又陌生的，熟悉是它的名字，陌生的是它的来源发展和作用。

芯片即集成电路。从1930年代开始，元素周期表中的半导体被研究者如贝尔实验室的William Shockley认为是固态真空管的最可能的原料。从氧化铜到锗，再到硅，原料在1940到1950年代被系统的研究。今天，尽管元素中期表的一些III-V价化合物如砷化镓应用于特殊用途如：发光二极管，激光，太阳能电池和最高速集成电路，单晶硅成为集成电路主流的基层。创造无缺陷晶体的方法用去了数十年的时间。

由此可见，芯片的研究过程是漫长的，不是一蹴而就的。

1947年12月23日第一块晶体管在贝尔实验室诞生，从此人类步入了飞速发展的电子时代。尔比提出了一个大胆的设想： “能不能将电阻、电容、晶体管等电子元器件都安置在一个半导体单片上?”这样整个电路的体积将会大大缩小，于是基尔开始尝试一个叫做相位转换振荡器的简易集成电路。

1958年9月12日，基尔比研制出世界上第一块集成电路，成功地实现了把电子器件集成在一块半导体材料上的构想，并通过了德州仪器公司高层管理人员的检查。

对于我国芯片的第一次成就是在1965年，我国的第一块硅基数字集成电路研制成功;至2000年到2011年，我国进入集成电路产业发展加速期;自2012年发展至今，我国进入集成电路高质量发展期。

但我国整体芯片技术在国际水平上还是存在一定差距，这还需要各位人才进行研发了。

前面说到华为的情况，是因为近两年来的情况。华为现在是属国际水平的手机制造生产商，主要受到海外竞争对手的制裁。虽说华为现在自研芯片进行的比较火热，但实际上我国芯片处理器的水平仍停留在90nm上。现在各国制造5nm芯片仍需要美国的技术支持，像台积电、联发科无法为华为提供芯片生产，那么华为将会迈入发展艰难的时期。

而现在其他几大手机厂商OPPO小米等相对来说就占据一定的优势。

对此，OPPO也开始加入自研芯片的队列中，相比于华为有一定的其他芯片研究的经验，OPPO仍需投入大量的人力财力物力。但为了确保自身稳定的销售市场和销售能力，OPPO必须踏入自研芯片的队列中。其次OPPO本身就是一家技术型公司，我们可以通过OPPO推出的手机就可以发现，在摄像、充电等很多方面都可以体现出来。

在科技迅速发展的时代，很多行业都注重发展自身的技术能力，以避免受到各方面的阻碍。相信我们在科技领域的成就会突飞猛进，会达到别人无法预测的结果。

关键词： 中科院 华为